Home > Publications database > Charakterisierung und Wachstum von GaInP und AlGaInP mittels LP-MOVPE and N2 als Trägergas |
Book/Report | FZJ-2019-01579 |
1996
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag
Jülich
Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/21668
Report No.: Juel-3271
Abstract: Die Deposition von HBLEDs im Materialsystem GaInP/AlGaInP wird in der MOVPE unter Stickstoff als Trägergas angestrebt. Deshalb wurden in dieser Arbeit Photolumineszenzmessungen an GaInP- und AlGaInP-Schichten zur Charakterisierung ihrer optischen Eigenschaften durchgeführt. Mit Hilfe von 2 K- PI-Messungen wurde die Optimierung der Wachstumparameter unterstützt und folgende Parameterfenster bestimmt: • GaInP: - Depositionstemperatur: 720°C $\sim$ 780 °C - V/III-Verhältnis: 100 $\sim$ 350 • AlGaInP: - Depositionstemperatur: 740°C $\sim$ 780 °C - V/III-Verhältnis: 50 $\sim$ 300 : Mit 300 K-Photolumineszenzmappings wurde gezeigt, daß mit Stickstoff als Trägergas GaInP- und AlGaInP-Schichten ausgezeichneter Emissionswellenlängenhomogenität deponiert werden können. Es wurden Standardabweichungen der Emissionswellenlänge von 0.26 nm, bzw. 0.23 nm über einen 2-Zoll-Wafer erzielt. Damit wurden die Vorgaben der Industrie von $\Delta \lambda \le$ 1nm weit unterboten. Solche Werte wurden in dieser Reaktorgeornetrie unter Wasserstoff als Trägergas noch nicht erreicht. Dort liegen die Standardabweichungen im Bereich von 2 nm - 3nm [Sch96]. [...]
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