Book/Report

FZJ-2019-01579

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Charakterisierung und Wachstum von GaInP und AlGaInP mittels LP-MOVPE and N2 als Trägergas

Setzer, B. (Corresponding author)FZJ*

1996
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag Jülich

Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/21668

Report No.: Juel-3271

Abstract: Die Deposition von HBLEDs im Materialsystem GaInP/AlGaInP wird in der MOVPE unter Stickstoff als Trägergas angestrebt. Deshalb wurden in dieser Arbeit Photolumineszenzmessungen an GaInP- und AlGaInP-Schichten zur Charakterisierung ihrer optischen Eigenschaften durchgeführt. Mit Hilfe von 2 K- PI-Messungen wurde die Optimierung der Wachstumparameter unterstützt und folgende Parameterfenster bestimmt: • GaInP: - Depositionstemperatur: 720°C $\sim$ 780 °C - V/III-Verhältnis: 100 $\sim$ 350 • AlGaInP: - Depositionstemperatur: 740°C $\sim$ 780 °C - V/III-Verhältnis: 50 $\sim$ 300 : Mit 300 K-Photolumineszenzmappings wurde gezeigt, daß mit Stickstoff als Trägergas GaInP- und AlGaInP-Schichten ausgezeichneter Emissionswellenlängenhomogenität deponiert werden können. Es wurden Standardabweichungen der Emissionswellenlänge von 0.26 nm, bzw. 0.23 nm über einen 2-Zoll-Wafer erzielt. Damit wurden die Vorgaben der Industrie von $\Delta \lambda \le$ 1nm weit unterboten. Solche Werte wurden in dieser Reaktorgeornetrie unter Wasserstoff als Trägergas noch nicht erreicht. Dort liegen die Standardabweichungen im Bereich von 2 nm - 3nm [Sch96]. [...]

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Contributing Institute(s):

1. Publikationen vor 2000 (PRE-2000)

Research Program(s):

1. 899 - ohne Topic (POF3-899) (POF3-899)

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Database coverage:

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